|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: IRG7PH35UD1
Искать " IRG7PH35UD1" в других поисковых системах: GoogleIRG7PH35UD1Информация по: IRG7PH35UD1- International Rectifier представила эффективный, надежный IGBT транзистор для приложений индукционного нагрева
International Rectifier представила пару эффективных, надежных сверхбыстродействующих IGBT транзисторов, оптимизированных для аппаратуры индукционного нагрева и преобразователей с резонансным переключением, таких, например, как сварочное оборудование и выпрямители большой мощности. При изготовлении 1200-вольтовых транзисторов используется отработанная Trench технология на тонких пластинах, обеспечивающая малое напряжение V CE(ON) и сверхбыстрое переключение, позволяющая снизить тепловые потери ... - Datasheet IRG7PH35UD1-EP - International Rectifier Даташит INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Наименование модели: IRG7PH35UD1-EP Производитель: International Rectifier Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 50 А Collector Emitter Voltage, Vces: 1200 В Power Dissipation, Pd: 179 мВт Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Количество выводов: 3 RoHS: есть - Datasheet IRG7PH35UD1PBF - International Rectifier Даташит IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC
Наименование модели: IRG7PH35UD1PBF Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, N CH, диод, 1200 В, 50 А, TO-247AC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97455 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS IRG7PH35UD1PbF IRG7PH35UD1-EP VCES = 1200V I NOMINAL = 20A Features Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 50 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В Collector Emitter Voltage ...
|