Поиск по: SOT883
Искать " SOT883" в других поисковых системах: GoogleSOT883Информация по: SOT883- Datasheet PMZ1000UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.42 А, SOT883
Наименование модели: PMZ1000UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.42 А, SOT883 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMZ1000UN N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 2 -- 17 September 2010 BOTTOM VIEW Product data sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 30 В On State Resistance: 1.1 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Voltage Vgs Max: 8 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: SC-101 ... - Datasheet PMZ250UN,315 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.28 А, SOT883
Наименование модели: PMZ250UN,315 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.28 А, SOT883 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMZ250UN N-channel TrenchMOS extremely low level FET Rev. 01 -- 21 February 2008 BOTTOM VIEW Product data sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 200 мА Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 300 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ Рассеиваемая ... - Datasheet PMZ390UN,315 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.78 А, SOT883
Наименование модели: PMZ390UN,315 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.78 А, SOT883 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMZ390UN N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 -- 12 July 2007 BOTTOM VIEW Product data sheet Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 200 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 460 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ Рассеиваемая мощность: ...
|