|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: MC33153DG
Искать " MC33153DG" в других поисковых системах: GoogleMC33153DGИнформация по: MC33153DG- Datasheet IXFB52N90P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N CH, 900 В, 52 А, PLUS264
Наименование модели: IXFB52N90P Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N CH, 900 В, 52 А, PLUS264 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFB52N90P VDSS ID25 RDS(on) trr Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 900 В On State Resistance: 160 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 30 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C ... - Datasheet IXFH12N90P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N CH, 900 В, 12 А, TO-247
Наименование модели: IXFH12N90P Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N CH, 900 В, 12 А, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Preliminary Technical Information PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFH12N90P IXFV12N90P IXFV12N90PS VDSS ID25 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 900 В On State Resistance: 900 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 30 В ... - Datasheet IXFH18N90P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N CH, 900 В, 18 А, TO-247
Наименование модели: IXFH18N90P Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N CH, 900 В, 18 А, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PolarTM Power MOSFET HiPerFETTM N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode IXFH18N90P IXFT18N90P IXFV18N90P IXFV18N90PS VDSS ID25 RDS(on) trr Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 900 В On State Resistance: 600 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 30 В Рабочий диапазон ...
|