Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: ��2-29��-0.125-109��-0.1

Информация по: ��2-29��-0.125-109��-0.1

  • International Rectifier представляет MOSFET транзисторы с быстрыми встроенными диодами для усовершенствованных ZVS схем
    International Rectifier представила новые 600В HEXFET® мощные MOSFET транзисторы с быстрыми встроенными диодами для мягких импульсных приложений, таких как схемы коммутации нулевого напряжения (ZVS). ZVS - это технология , используемая для увеличения КПД и обеспечивающая большие выходные мощности в импульсных блоках питания (SMPS). Данная техника широкого используется в современных высокоскоростных, широкополосных системах телекоммуникаций, где эффективность и надежность на первом плане. ...
  • Телевизор Shivaki STV29-06
    здравствуйте телевизор shivaki 29,при включении выходные напряжиние появляется и пропадает.выпаял дроссел L803 и подключил лампу 100ват на С829.изгорела диод В+.кто нибуд не подскажеть где проверит,спасибо! fust , ссылку на схему выложите. В ремонте ТВ есть навыки ? Навыки будут !! По любому!! мастер тебе нужен, поскольку писАть мануал для Клиента - никто не будет. схема есть. А строчный транзистор целый? ...
  • Fujitsu начинает производство 4-мегабитной микросхемы FRAM с гарантированной рабочей температурой до 125 °C
    Энергонезависимая память, оптимальная для использования в автомобильном и промышленном оборудовании, где требуется высокая надежность в условиях высоких рабочих температур Подразделение запоминающих устройств компании Fujitsu Semiconductor анонсировало выпуск 4-мегабитной микросхемы FRAM (ferroelectric random access memory сегнетоэлектрическое ОЗУ), получившей обозначение MB85RS4MTY , имеющей наибольшую плотность элементов среди FRAM, работающих при температурах до 125 C. В настоящее время ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники