|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: 2120g
Искать " 2120g" в других поисковых системах: Google2120gИнформация по: 2120g- Datasheet ZXMP2120G4 - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT-223
Наименование модели: ZXMP2120G4 Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, P, SOT-223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ZXMP2120G4 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS =-200V; RDS(ON) = 25 ; ID = 200mA DESCRIPTION This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications ... - Datasheet ZXMP2120E5 - Diodes Даташит Полевой транзистор, P, SOT23-5
Наименование модели: ZXMP2120E5 Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, P, SOT23-5 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ZXMP2120E5 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS =-200V; RDS(ON) = 28 ; ID = -122mA DESCRIPTION This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. ... - Datasheet ZVN2120GTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 200 В, 0.32 А, SOT223
Наименование модели: ZVN2120GTA Производитель: Diodes Описание: Полевой транзистор, N CH, 200 В, 0.32 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET ISSUE 2 - FEBRUARY 1996 FEATURES: * VDS - 200V * RDS(ON) - 10 7 ZVN2120G D PARTMARKING DETAIL - ZVN2120 D G Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 320 мА Drain Source Voltage Vds: 200 В On Resistance Rds(on): 10 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ...
Цены на: 2120g |