|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: 2474.0038
Искать " 2474.0038" в других поисковых системах: Google2474.0038Информация по: 2474.0038- Datasheet AUIRF7734M2TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 72 А, DIRECTFET, SC
Наименование модели: AUIRF7734M2TR1 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 72 А, DIRECTFET, SC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 96413 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7734M2TR AUIRF7734M2TR1 · Advanced Process Technology · Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and · · · · · · other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile High Power Density Low Parasitic Parameters Dual Sided Cooling 175°C Operating ... - Конструкции УКВ контуров
В диапазонах 144 и 430 Мгц и выше чаще всего применяют или открытые контуры из двухпроводных линий, или коаксиальные контуры. Более новые типы - плоские и желобные контуры - пока не нашли широкого распространения. Основное внимание при выполнении любых контуров на УКВ сводится к уменьшению всех видов потерь. Токи ВЧ идут в основном по наружной поверхности проводника, глубина проникания их внутрь очень незначительна и зависит от проводимости материала и частоты. Так, для меди, наиболее ходового ... - Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
|