|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: 90Y8877-2Pack
Искать " 90Y8877-2Pack" в других поисковых системах: Google90Y8877-2PackИнформация по: 90Y8877-2Pack- Datasheet 2MBI150S-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 150 А, 1200 В, NPT
Наименование модели: 2MBI150S-120-50 Производитель: Fuji Electric Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 150 А, 1200 В, NPT Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2MBI 150S-120 IGBT MODULE ( S-Series ) s Features · NPT-Technology · Square SC SOA at 10 x IC · High Short Circuit Withstand-Capability · Small Temperature Dependence of the Turn-Off Switching Loss · Low Losses And Soft Switching 2-Pack IGBT 1200V 2x150A s Outline Drawing Спецификации: Module Configuration: Dual Полярность ... - ON Semiconductor анонсировала полностью карбидокремниевые решения для зарядных станций электромобилей
ON Semiconductor анонсировала два 1200-вольтовых полностью карбидокремниевых (SiC) MOSFET модуля, еще больше расширяющих ассортимент ее продуктов, предназначенных для требовательного рынка электромобилей. Продолжающийся рост продаж электромобилей требует развертывания соответствующей инфраструктуры, способной удовлетворить потребности водителей, обеспечивая их сетью станций быстрой зарядки, которые позволят им доезжать до пункта назначения быстро и без беспокойства по поводу оставшегося ... - Datasheet 2MBI100S-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 100 А, 1200 В, NPT
Наименование модели: 2MBI100S-120-50 Производитель: Fuji Electric Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 100 А, 1200 В, NPT Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 2MBI 100S-120 IGBT MODULE ( S-Series ) s Features · NPT-Technology · Square SC SOA at 10 x IC · High Short Circuit Withstand-Capability · Small Temperature Dependence of the Turn-Off Switching Loss · Low Losses And Soft Switching 2-Pack IGBT 1200V 2x100A s Outline Drawing Спецификации: Module Configuration: Dual Полярность ...
|