|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: AMFIAL-100CM-CGD
Искать " AMFIAL-100CM-CGD" в других поисковых системах: GoogleAMFIAL-100CM-CGDИнформация по: AMFIAL-100CM-CGD- Datasheet SQJ463EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 30 А, POPAK8L
Наименование модели: SQJ463EP-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, P CH, Вт диод, 40 В, 30 А, POPAK8L Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPICE Device Model SQJ463EP Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET DESCRIPTION The attached SPICE model describes the typical electrical characteristics of the p-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the - 55 °C to + 125 °C temperature ranges under the pulsed 0 V to 10 V gate ... - Datasheet SQD30N05-20L -GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 30 А, TO-252
Наименование модели: SQD30N05-20L -GE3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 30 А, TO-252 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPICE Device Model SQD30N05-20L Vishay Siliconix N-Channel 55 V (D-S) 175 °C MOSFET DESCRIPTION The attached SPICE model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the - 55 °C to + 125 °C temperature ranges under the pulsed 0 V to 10 ... - Datasheet SI3552DV-T1-E3 - Vishay Даташит Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 30 В, TSOP
Наименование модели: SI3552DV-T1-E3 Производитель: Vishay Описание: Сдвоенный N/P CHANNEL полевой транзистор, 30 В, TSOP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SPICE Device Model Si3552DV Vishay Siliconix N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET CHARACTERISTICS · N- and P-Channel Vertical DMOS · Macro Model (Subcircuit Model) · Level 3 MOS · Apply for both Linear and Switching Application · Accurate over the -55 to 125°C Temperature Range · Model the Gate Charge, Transient, and Diode ...
|