|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: ANC-03N
Искать " ANC-03N" в других поисковых системах: GoogleANC-03NИнформация по: ANC-03N- Datasheet IGA03N120H2 - Infineon Даташит IGBT,1200V,3A,TO220
Наименование модели: IGA03N120H2 Производитель: Infineon Описание: IGBT,1200V,3A,TO220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IGA03N120H2 HighSpeed 2-Technology C · · Designed for: - TV Horizontal Line Deflection 2 generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Gate-Control Спецификации: Тип ... - Datasheet NDD03N50ZT4G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 500 В, 2.6 А, DPAK
Наименование модели: NDD03N50ZT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 500 В, 2.6 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NDD03N50Z N-Channel Power MOSFET 500 V, 3.3 W Features · · · · Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant http://onsemi.com RoHS: есть ... - Datasheet IGW03N120H2 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 3.9 А, TO-247
Наименование модели: IGW03N120H2 Производитель: Infineon Описание: IGBT, N, 1200 В, 3.9 А, TO-247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IGP03N120H2 IGW03N120H2 HighSpeed 2-Technology C · Designed for: - SMPS - Lamp Ballast - ZVS-Converter - optimised for soft-switching / resonant topologies 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter ...
|