|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: B110AE-DN2
Искать " B110AE-DN2" в других поисковых системах: GoogleB110AE-DN2Информация по: B110AE-DN2- Datasheet IGW15N120H3 - Infineon Даташит IGBT,1200V,15A,TO247
Наименование модели: IGW15N120H3 Производитель: Infineon Описание: IGBT,1200V,15A,TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ! ! #$ % & () &! ( % ( * + *,* -, * ( 0, ' 1 ( $34' 5 ( * , 677 8 ' 8 *7 (, ( ( , ) 3 ) , '' , . /! 2 !' * ,* $ % 37 6 ' 0, Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 15 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В Power Dissipation Max: 217 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV Operating Temperature Range: -40°C to +175°C Корпус транзистора: ... - Datasheet BSM100GD120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3
Наименование модели: BSM100GD120DN2 Производитель: Infineon Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BSM 100 GD 120 DN2 IGBT Power Module · Solderable Power module · 3-phase full-bridge · Including fast free-wheel diodes · Package with insulated metal base plate Type BSM 100 GD 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C Pulsed ... - Datasheet BSM10GD120DN2 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3
Наименование модели: BSM10GD120DN2 Производитель: Infineon Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPACK3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BSM 10 GD 120 DN2 IGBT Power Module · Power module · 3-phase full-bridge · Including fast free-wheel diodes · Package with insulated metal base plate Type BSM 10 GD 120 DN2 BSM 10 GD120DN2E3224 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage RGE = 20 k Gate-emitter voltage DC collector current TC = 25 °C TC = 80 °C ...
|