|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: BSH103
Искать " BSH103" в других поисковых системах: GoogleBSH103Информация по: BSH103- Datasheet BSH103 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23
Наименование модели: BSH103 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET andbook, halfpage M3D088 BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 850 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On State Resistance: 500 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Voltage Vgs Max: 8 В Рабочий диапазон температрур: ... - Datasheet BSH103,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 850 мА, 3-SOT-23
Наименование модели: BSH103,215 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 850 мА, 3-SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET andbook, halfpage M3D088 BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 850 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 400 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 400 мВ RoHS: ... - Datasheet BSH103.215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 REEL 3K
Наименование модели: BSH103.215 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23 REEL 3K Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET andbook, halfpage M3D088 BSH103 N-channel enhancement mode MOS transistor Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 850 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 500 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 400 мВ Рассеиваемая мощность: 750 ...
|