|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: BYV28-150-TAP
Искать " BYV28-150-TAP" в других поисковых системах: GoogleBYV28-150-TAPИнформация по: BYV28-150-TAP- International Rectifier представляет экономичные, мощные, 150КГц IGBT транзисторы для высокочастотных импульсных блоков питания
International Rectifier представила новые WARP2 TM 600В 50А, 35А и 25А NPT IGBT транзисторы с улучшенной характеристикой переключения для мощных, высокочастотных импульсных блоков питания (SMPS) в телекоммуникационных и серверных системах. Новые WARP2 NPT IGBT транзисторы обладают лучшим соотношением цена-производительность по сравнению с мощными MOSFET транзисторами. WARP2 IGBT транзисторы имеют встроенные HEXFRED® диоды, которые обеспечивают более лучшие характеристики по сравнению с ... - Акустика Fender PD 150 Passport Deluxe: мобильность, мощность и качество
С долей рынка 70% производителя гитар Fender Music можно назвать Microsoft мира гитар. Помимо этих музыкальных инструментов, Fender производит широкий ассортимент и других аудио продуктов. И примером тому служит акустическая система Fender PD 150. Причем она сочетает в себе два свойства: её можно использовать в роли акустики для вечеринок или как усилитель для музыкантов. PD 150 отличается хорошей громкостью и мощностью, но насколько хороша система будет в играх? И насколько хорошо будет ... - Неиспользуемый источник энергии питает интеллектуальные сенсорные сети
Журнал РАДИОЛОЦМАН, апрель 2020 Matthew Carroll Университет штата Пенсильвания Команда ученых разработала новый механизм, позволяющий собирать энергию магнитного поля рассеяния и превращать ее в полезное, используемое электричество. (Рисунок: Kai Wang). Электричество, которое освещает наши дома и приводит в действие наши бытовые приборы, также создает небольшие магнитные поля, присутствующие вокруг нас. Ученые разработали новый механизм, способный собирать эту напрасно пропадающую энергию ...
Цены на: BYV28-150-TAP
Кристалл, 18.432 МГц, Сквозное Отверстие, 11.05мм x 4.7мм, 50 млн⁻¹, 18 пФ, 20 млн⁻¹ |