|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: GB-LF6,F
Искать " GB-LF6,F" в других поисковых системах: GoogleGB-LF6,FИнформация по: GB-LF6,F- Micron Technology демонстрирует первые чипы памяти 1 Гб DDR SDRAM, выполненные по 0,11мкм техпроцессу
Micron лидирует в разработке технологий чипов памяти следующего поколения и их производстве 23 декабря, 2002г. - Micron Technology, Inc., продемонстрировала первые чипы 1 Гигабит (Gb) синхронной динамической памяти (SDRAM) с удвоенной скоростью обмена данными (DDR), выполненные по 0,11 мкм техпроцессу. Чипы 1 Гб DDR SDRAM с напряжением питания 2,5В производятся в 400 mil(0,4 дюйма) TSOP корпусах и соответствуют передовым требованиям по пропускной способности для DDR SDRAM систем памяти. Micron ... - Samsung представила усовершенствованные модули памяти
Samsung Electronics объявила о выпуске встраиваемых мультимедийных карт (eMMC) емкостью 64 ГБ, выполненных по технологии 10-нм. В конце октября эти NAND карты памяти были запущены в серийное производство. Встраиваемые модули памяти являются основными элементами хранения данных в таких популярных мобильных устройствах, как смартфоны и планшеты. Новые eMMC с высокой скоростью чтения/записи и высокой плотностью позволят пользователям получать доступ к данным большого объема и высокого разрешения, ... - Micron демонстрирует первый 4Гб DDR DIMM буферизированный модуль памяти
Micron разрабатывает технологии производства памяти следующего поколения Micron Technology выпустила первый 4Гигабайтный DDR SDRAM DIMM модуль памяти для Intel Corporation. Выпуск модуля такого размера произведен благодаря недавно представленным 1Гб DDR266 SDRAM микросхемам, произведенным по 0,11µм техпроцессу в JEDEC-стандартном 400 mil TSOP корпусе. Micron производит 1Гб DDR266 SDRAM микросхемы по 0,11µм техпроцессу, применяя стековые конденсаторы, который является наиболее ...
|