|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: IR2101PBF
Искать " IR2101PBF" в других поисковых системах: GoogleIR2101PBFИнформация по: IR2101PBF- IR2101PBF
Datasheet International Rectifier IR2101PBF Драйверы MOSFET и IGBT IR International Rectifier Ltd. - Datasheet IRFH5215TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 150 В, 5 А, PQFN56
Наименование модели: IRFH5215TR2PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, Вт диод, N CH, 150 В, 5 А, PQFN56 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97614 IRFH5215PbF HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max (@VGS = 10V) Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 5 А Drain Source Voltage Vds: 150 В On Resistance Rds(on): 0.0455 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Power Dissipation Pd: 3.6 Вт Рабочий ... - Datasheet IRFH5220TR2PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56
Наименование модели: IRFH5220TR2PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, Вт DIO, N CH, 200 В, 3.8 А, PQFN56 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD -97615 IRFH5220PbF HEXFET® Power MOSFET VDS RDS(on) max (@VGS = 10V) 200 99.9 20 2.3 20 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 5.8 А Drain Source Voltage Vds: 200 В On Resistance Rds(on): 0.08 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Power Dissipation ...
|