|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: IRF9956PBF
Искать " IRF9956PBF" в других поисковых системах: GoogleIRF9956PBFИнформация по: IRF9956PBF- Datasheet IRF9956PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8
Наименование модели: IRF9956PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, LOGIC, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95259 IRF9956PbF l l l l l l l Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Very Low Gate Charge and Switching Losses Fully Avalanche Rated Lead-Free HEXFET® Power MOSFET Спецификации: Module Configuration: Dual Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: ... - Datasheet TSM2306CX - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 3.5 А, SOT23
Наименование модели: TSM2306CX Производитель: Taiwan Semiconductor Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 3.5 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TSM2306 30V N-Channel MOSFET SOT-23 Pin Definition: 1. Gate 2. Source 3. Drain PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on)(m) Спецификации: Continuous Drain Current Id: 3.5 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On State Resistance: 0.046 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 ... - Datasheet TSM2307CX - Taiwan Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 3 А, SOT23
Наименование модели: TSM2307CX Производитель: Taiwan Semiconductor Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 3 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TSM2307 30V P-Channel MOSFET SOT-23 Pin Definition: 1. Gate 2. Source 3. Drain PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on)(m) Спецификации: Continuous Drain Current Id: -3 А Drain Source Voltage Vds: -30 В On State Resistance: 0.064 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В Voltage Vgs Max: -20 В Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 ...
|