|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: IRLR3110ZPBF
Искать " IRLR3110ZPBF" в других поисковых системах: GoogleIRLR3110ZPBFИнформация по: IRLR3110ZPBF- Datasheet IRLR3110ZPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, D-PAK
Наименование модели: IRLR3110ZPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, D-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97175B Features l l l l l IRLR3110ZPbF IRLU3110ZPbF HEXFET® Power MOSFET Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 42 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 14 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 16 В Рабочий диапазон температрур: ... - Datasheet IRLU3110ZPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 100 В, I-PAK
Наименование модели: IRLU3110ZPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, 100 В, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97175B Features l l l l l IRLR3110ZPbF IRLU3110ZPbF HEXFET® Power MOSFET Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 63 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 14 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 16 В Рабочий диапазон температрур: ... - Datasheet AUIRLU3110Z - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 63 А, I-PAK
Наименование модели: AUIRLU3110Z Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 63 А, I-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 97175B Features l l l l l IRLR3110ZPbF IRLU3110ZPbF HEXFET® Power MOSFET Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 42 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.011 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Рассеиваемая мощность: 140 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
|