Поиск по: MBR10H100CT
Искать " MBR10H100CT" в других поисковых системах: GoogleMBR10H100CTИнформация по: MBR10H100CT- Datasheet MBR10H100CT - Taiwan Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 10 А, 100 В
Наименование модели: MBR10H100CT Производитель: Taiwan Semiconductor Описание: Диод, Шоттки, 10 А, 100 В Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MBR10H100CT - MBR10H200CT Pb RoHS COMPLIANCE 10.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers Спецификации: Diode Configuration: Common Cathode Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 100 В Forward Current If(AV): 10 А Forward Voltage VF Max: 950 мВ Forward Surge Current Ifsm Max: 120 А Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +175°C ... - Datasheet MBR10100CT - Multicomp Даташит Диод, Шоттки, 10 А, 100 В
Наименование модели: MBR10100CT Производитель: Multicomp Описание: Диод, Шоттки, 10 А, 100 В Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MBR10xCT Series Features: · · · · · · · · Plastic material. Metal silicon junction, majority carrier conduction. Low power loss, high efficiency. High current capability, low forward voltage drop. High surge capability. For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications. Guardring for over voltage ... - Datasheet MBR10H100CTG - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, 10 А, 100 В, TO-220
Наименование модели: MBR10H100CTG Производитель: ON Semiconductor Описание: Диод, Шоттки, 10 А, 100 В, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MBR10H100CT SWITCHMODE] Power Rectifier 100 V, 10 A Features and Benefits · · · · · · · Low Forward Voltage: 0.61 V @ 125°C Low Power Loss/High Efficiency High Surge Capacity 175°C Operating Junction Temperature 10 A Total (5.0 A Per Diode Leg) Guard-Ring for Stress Protection Pb-Free Package is Available http://onsemi.com Данные для ...
|