|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: MBR1100G
Искать " MBR1100G" в других поисковых системах: GoogleMBR1100GИнформация по: MBR1100G- Datasheet MBR1100G - ON Semiconductor Даташит Шоттки выпрямитель, 1 А, 100 В, DO-41
Наименование модели: MBR1100G Производитель: ON Semiconductor Описание: Шоттки выпрямитель, 1 А, 100 В, DO-41 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MBR1100 Preferred Device Axial Lead Rectifier These rectifiers employ the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free ... - Datasheet 1N4004 - Multicomp Даташит Диод, STANDARD, 1 А, 400 В, 4 В, DO-41
Наименование модели: 1N4004 Производитель: Multicomp Описание: Диод, STANDARD, 1 А, 400 В, 4 В, DO-41 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: 1N4001 THRU 1N4007 1.0 AMP. Silicon Rectifiers Features: · · · · Low forward voltage drop. High current capability. High reliability. High surge current capability. Voltage Range 50 to 1300 Volts Current 1.0 Ampere Спецификации: Diode Type: Standard Recovery Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 400 В Forward Current If(AV): 1 А Forward Voltage ...
|