|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: MK2304S-2I
Искать " MK2304S-2I" в других поисковых системах: GoogleMK2304S-2IИнформация по: MK2304S-2I- Datasheet STP12NM50 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220
Наименование модели: STP12NM50 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1 N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmeshTM Power MOSFET General features Type STB12NM50 STB12NM50-1 STP12NM50 STP12NM50FP VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 12 А Drain Source Voltage Vds: 550 В On ... - Источник постоянного тока для ISFET и MEMFET
Ион-чувствительные и ион-селективные полевые транзисторы (ISFET и MEMFET, соответственно) представляют собой твердотельные химические датчики, выходные электрические сигналы которых связаны с изменением концентрации химического вещества в растворе. Датчикам такого типа требуется стабильность положения рабочей точки. Типичной рабочей точкой является ток стока 100 мкА при напряжении сток-исток V GS , равном 500 мВ. На Рисунке 1 показана схема драйвера, обеспечивающая питание ISFET/MEMFET ... - Устранение ошибки, связанной с конечным сопротивлением проводников, используемых для подключения датчика путем модуляции тока смещения
Данная схема компенсирует ошибку, связанную с конечным сопротивлением проводников, используемых для подключения диодного датчика температуры, и для своей работы требует всего лишь двухпроводной кабель. Температурный коэффициент прямого падения напряжения на диоде, составляющий примерно 2 мВ/ C, является основанием для популярного метода измерения температуры, особенно для низкотемпературных приложений (рис.1). Диодные датчики температуры являются компактными, стабильными, надежными, ...
|