Поиск по: NCH-RSL10-101Q48-ABG
Искать " NCH-RSL10-101Q48-ABG" в других поисковых системах: GoogleNCH-RSL10-101Q48-ABGИнформация по: NCH-RSL10-101Q48-ABG- Datasheet NGD18N40ACLBT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 400 В, 18 А, DPAK
Наименование модели: NGD18N40ACLBT4G Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 400 В, 18 А, DPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGD18N40CLB, NGD18N40ACLB Ignition IGBT, 18 A, 400 V N-Channel DPAK This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high ... - Datasheet IRF8304MTRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 28 А, DIRECTFET
Наименование модели: IRF8304MTRPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 28 А, DIRECTFET Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: IRF8304MPbF IRF8304MTRPbF l l l l l l l l l l PD - 97668 RoHS Compliant and Halogen Free Low Profile ( - Datasheet BUK964R7-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK
Наименование модели: BUK964R7-80E Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: BUK964R7-80E 5 October 2012 N-channel TrenchMOS logic level FET Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 120 А Drain Source Voltage Vds: 80 В On Resistance Rds(on): 3600µ Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Количество выводов: 3 Корпус транзистора: TO-263 Полярность ...
Цены на: NCH-RSL10-101Q48-ABG
DECKING SCREWS 4 X 70MM, X100 |