|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: NP-312
Искать " NP-312" в других поисковых системах: GoogleNP-312Информация по: NP-312- Datasheet IRF7343PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8
Наименование модели: IRF7343PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 92547 IRF7343PbF l l l l l l Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free HEXFET® Power MOSFET Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N and P Channel Continuous Drain Current Id: 4.7 А Drain Source Voltage Vds: 55 В ... - Осциллограф LeCroy WJ312
осциллографы цифровые запоминающие 300-й серии WaveJet частота дискретизации 1 ГГц на канал Коэф. отклонения 2 мВ/дел - 10 В/дел Ограничение полосы 20 МГц Макс. входное напряжение 400 В CAT I Связь входа земля, 1 МОм открытый и закрытый Коэф. развертки 5 нс/дел - 50 с/дел Экв. частота дискретизации 100 ГГц Объем памяти на канал 500 Кб Интерфейс USB на передней панели Авто- и курсорные измерения (26 параметров) Режим покадровой регистрации, автоматическое детектирование коэффициента деления ... - Datasheet NX3008CBKS - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363
Наименование модели: NX3008CBKS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 30/30 В, 350/200 мА, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NX3008CBKS 30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 29 July 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N and P Complement Continuous Drain Current Id: 350 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 1 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В ...
|