|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: NPT-N270-1GA
Искать " NPT-N270-1GA" в других поисковых системах: GoogleNPT-N270-1GAИнформация по: NPT-N270-1GA- Новый IGBT-транзистор на 1000 В фирмы Fairchild Semiconductor,
выполненный по технологии NPT-Trench, обеспечивает лучшую в своем классе устойчивость к лавинному пробою в системах индукционного нагрева
29 апреля, 2004г. - фирма Fairchild Semiconductor представляет новый IGBT-транзистор (1000 В / 60 А) , обладающий превосходными переключательными характеристиками и параметрами проводимости, а также устойчивостью к лавинному пробою при работе в системах индукционного нагрева (IH - induction heating), включая IH-подогреватели, плиты и микроволновые печи. Объединяя trench-технологию (trench - траншея, канавка), запатентованную фирмой Fairchild, и технологию NPT (non-punch through - отсутствие ... - Datasheet FGA15N120ANTDTU - Fairchild Даташит IGBT, NPT, 1200 В, TO-3P
Наименование модели: FGA15N120ANTDTU Производитель: Fairchild Описание: IGBT, NPT, 1200 В, TO-3P Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: FGA15N120ANTD 1200V NPT Trench IGBT May 2006 FGA15N120ANTD 1200V NPT Trench IGBT Features Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 30 А Max Voltage Vce Sat: 2.4 В Max Power Dissipation: 186 Вт Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: TO-3P Количество выводов: 3 ... - Datasheet SGP02N120 - Infineon Даташит IGBT, NPT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт, TO220-3
Наименование модели: SGP02N120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, NPT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт, TO220-3 Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Collector Emitter Voltage Vces: 3.1 В DC Collector Current: 6.2 А Pulsed Current Icm: 9.6 А Rise Time: 21 нс Количество выводов: 3 Корпус транзистора: TO-220 Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Рассеиваемая мощность: 62 Вт Тип транзистора: IGBT RoHS: да ...
|