|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: NTUD3170NZT5G
Искать " NTUD3170NZT5G" в других поисковых системах: GoogleNTUD3170NZT5GИнформация по: NTUD3170NZT5G- Datasheet NTUD3170NZT5G - ON Semiconductor Даташит Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, SOT-963
Наименование модели: NTUD3170NZT5G Производитель: ON Semiconductor Описание: Сдвоенный N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, SOT-963 Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 280 мА Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 1.5 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В RoHS: есть - Datasheet RUE003N02TL - Rohm Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.3 А, EMT3
Наименование модели: RUE003N02TL Производитель: Rohm Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.3 А, EMT3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: RUM003N02 Transistor 1.8V Drive Nch MOSFET RUM003N02 Structure Silicon N-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm) Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 20 В On State Resistance: 700 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В Voltage Vgs Max: 8 В Корпус транзистора: EMT Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC ... - Datasheet RUM003N02T2L - Rohm Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.3 А, VMT3
Наименование модели: RUM003N02T2L Производитель: Rohm Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.3 А, VMT3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: RUM003N02 Transistor 1.8V Drive Nch MOSFET RUM003N02 Structure Silicon N-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm) Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 20 В On State Resistance: 700 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В Voltage Vgs Max: 8 В Корпус транзистора: VMT Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC ...
Цены на: NTUD3170NZT5G
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3 |