|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PMBT5551
Искать " PMBT5551" в других поисковых системах: GooglePMBT5551Информация по: PMBT5551- Datasheet PMBT5551 - NXP Даташит Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23
Наименование модели: PMBT5551 Производитель: NXP Описание: Транзистор, NPN, 160 В, 0.3 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PMBT5551 NPN high-voltage transistor Спецификации: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В DC Collector Current: 300 мА DC Current Gain: 80 Количество выводов: 3 Корпус транзистора: SOT-23 Полярность транзистора: NPN Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Рассеиваемая мощность: 250 ... - Datasheet PMBT5551,215 - NXP Даташит Биполярный транзистор, HIGH VOLTAGE, NPN, 160 В, 300 мА, 3-SOT-23
Наименование модели: PMBT5551,215 Производитель: NXP Описание: Биполярный транзистор, HIGH VOLTAGE, NPN, 160 В, 300 мА, 3-SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PMBT5551 NPN high-voltage transistor Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В Transition Frequency Typ ft: 300 МГц Power Dissipation Pd: 250 мВт DC Collector Current: 300 мА RoHS: есть ...
|