|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PMEG2010AEH
Искать " PMEG2010AEH" в других поисковых системах: GooglePMEG2010AEHИнформация по: PMEG2010AEH- Datasheet PMEG2010AEH,115 - NXP Даташит
Наименование модели: PMEG2010AEH,115 Производитель: NXP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMEG2010AEH; PMEG2010AET 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers Rev. 03 -- 28 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 20 В Forward Current If(AV): 1 А Forward Voltage VF Max: 430 мВ Forward Surge Current Ifsm Max: 9 А Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Тип корпуса: ... - Datasheet PMEG2010AEH - NXP Даташит Диод, Шоттки, 1 А, 20 В, SOD-123F
Наименование модели: PMEG2010AEH Производитель: NXP Описание: Диод, Шоттки, 1 А, 20 В, SOD-123F Скачать Data Sheet Спецификации: Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 20 В Forward Current If(AV): 1 А Forward Voltage VF Max: 430 мВ Forward Surge Current Ifsm Max: 9 А Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Тип корпуса: SOD-123F Количество выводов: 2 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Ifsm: 9 А Forward Voltage: 430 мВ Температура перехода максимальная: 150°C Способ ... - Datasheet PMEG2010AEB,115 - NXP Даташит
Наименование модели: PMEG2010AEB,115 Производитель: NXP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D319 PMEG2010AEB 20 V, 1 A ultra low VF MEGA Schottky barrier rectifier in SOD523 package Product data sheet 2003 Dec 03 Спецификации: Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm: 20 В Forward Current, If(AV): 1 А Forward Voltage Max, VF: 620 мВ Forward Surge Current Max, Ifsm: 6 А Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Тип корпуса: ...
|