|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PMEG6010CEH-QX
Искать " PMEG6010CEH-QX" в других поисковых системах: GooglePMEG6010CEH-QXИнформация по: PMEG6010CEH-QX- Компанией Infineon выпущены первые представители нового поколения системообразующих микросхем System Basis Chips
Последнее поколение системообразующих микросхем System Basis Chips (SBC) компании Infineon это монолитные интегральные схемы в корпусе с улучшенными тепловыми характеристиками. TLE9266QX и TLE9267QX первые представители этого нового поколения. Разработанные специально для эксплуатации в тяжелых условиях, свойственных автомобильной среде, эти приборы предназначены для устройств, в которых обмен данными осуществляется по шинам CAN и LIN, например контроллеров кузовной электроники, межсетевых ... - Datasheet PMEG6010CEH - NXP Даташит Диод, Шоттки, 1 А, 60 В, SOD-123F
Наименование модели: PMEG6010CEH Производитель: NXP Описание: Диод, Шоттки, 1 А, 60 В, SOD-123F Скачать Data Sheet Спецификации: Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 60 В Forward Current If(AV): 1 А Forward Voltage VF Max: 660 мВ Forward Surge Current Ifsm Max: 9 А Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Тип корпуса: SOD-123F Количество выводов: 2 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Current Ifsm: 9 А Forward Voltage: 660 мВ Температура перехода максимальная: 150°C Способ ... - Datasheet PMEG6010CEH,115 - NXP Даташит
Наименование модели: PMEG6010CEH,115 Производитель: NXP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMEG6010CEH; PMEG6010CEJ 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers Rev. 02 -- 27 March 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Diode Type: Schottky Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm: 60 В Forward Current (AV): 1 А Forward Voltage Max, VF: 660 мВ Forward Surge Current Max, Ifsm: 9 А Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Количество ...
|