|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN012-80BS
Искать " PSMN012-80BS" в других поисковых системах: GooglePSMN012-80BSИнформация по: PSMN012-80BS- Datasheet PSMN012-25YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 25 В, 33 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN012-25YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 25 В, 33 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN012-25YLC N-channel 25 V 12.6 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Rev. 1 -- 25 October 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 33 А Drain Source Voltage Vds: 25 В On Resistance Rds(on): 0.0107 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ... - MOSFET фирмы NXP преодолели порог 1 мОм
NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package). NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие ... - Datasheet PSMN012-100YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 60 А, SOT669
Наименование модели: PSMN012-100YS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 60 А, SOT669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN012-100YS N-channel 100V 12m standard level MOSFET in LFPAK Rev. 04 -- 23 February 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 10 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон ...
|