|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN016-100XS
Искать " PSMN016-100XS" в других поисковых системах: GooglePSMN016-100XSИнформация по: PSMN016-100XS- Datasheet PSMN016-100PS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 96 А, TO-220AB
Наименование модели: PSMN016-100PS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 96 А, TO-220AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN016-100PS N-channel 100V 16 m standard level MOSFET in TO220 Rev. 01 -- 1 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 13 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон ... - Datasheet PSMN016-100YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 51 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN016-100YS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 51 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN016-100YS N-channel 100 V 16.3 m standard level MOSFET in LFPAK Rev. 03 -- 30 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 12.7 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон ... - Datasheet PSMN013-100XS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35.2 А, TO220F
Наименование модели: PSMN013-100XS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35.2 А, TO220F Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TO -2 20F PSMN013-100XS N-channel 100V 13 m standard level MOSFET in TO220F (SOT186A) Rev. 2 -- 6 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 35.2 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.0108 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Количество выводов: 3 Корпус ...
|