|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN017-30EL
Искать " PSMN017-30EL" в других поисковых системах: GooglePSMN017-30ELИнформация по: PSMN017-30EL- Datasheet PSMN017-30LL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 15 А, QFN3333
Наименование модели: PSMN017-30LL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 15 А, QFN3333 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN017-30LL N-channel QFN3333 30 V 17 m logic level MOSFET Rev. 03 -- 7 July 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 30 В On State Resistance: 15 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон температрур: -55°C ... - Datasheet PSMN1R1-30EL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226
Наименование модели: PSMN1R1-30EL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226 RoHS: Y-Ex - Datasheet PSMN017-60YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 44 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN017-60YS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 44 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN017-60YS N-channel LFPAK 60 V 15.7 m standard level MOSFET Rev. 02 -- 1 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60 В On State Resistance: 12.3 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон температрур: ...
|