|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN1R6-30BL
Искать " PSMN1R6-30BL" в других поисковых системах: GooglePSMN1R6-30BLИнформация по: PSMN1R6-30BL- Datasheet PSMN1R6-30PL,127 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 3-TO-220AB
Наименование модели: PSMN1R6-30PL,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В Количество выводов: 3 Тип корпуса: 3-TO-220AB RoHS: есть - Datasheet PSMN017-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN017-30BL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN017-30BL N-channel 30 V 17 m logic level MOSFET in D2PAK Rev. 2 -- 3 April 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 32 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.017 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество выводов: 3 ... - Datasheet PSMN022-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 30 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN022-30BL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 30 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN022-30BL N-channel 30 V 22.6 m logic level MOSFET in D2PAK Rev. 1 -- 21 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 30 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.01917 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ...
|