|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN1R7-60BS
Искать " PSMN1R7-60BS" в других поисковых системах: GooglePSMN1R7-60BSИнформация по: PSMN1R7-60BS- Datasheet PSMN1R7-30YL,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 4-SOT-669
Наименование модели: PSMN1R7-30YL,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 4-SOT-669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN1R7-30YL N-channel 30 V 1.7 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 04 -- 20 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 1.29 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ... - Datasheet PSMN1R7-25YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 25 В, 100 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN1R7-25YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 25 В, 100 А, LFPAK RoHS: Y-Ex - Datasheet PSMN015-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN015-60BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN015-60BS N-channel 60 V 14.8 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 2 -- 1 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 50 А Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 0.0126 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ...
|