|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN2R6-30YLC
Искать " PSMN2R6-30YLC" в других поисковых системах: GooglePSMN2R6-30YLCИнформация по: PSMN2R6-30YLC- Datasheet PSMN013-30YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN013-30YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN013-30YLC N-channel 30 V 13.6 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Rev. 3 -- 24 October 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 32 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0116 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ... - MOSFET фирмы NXP преодолели порог 1 мОм
NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package). NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие ... - Datasheet PSMN7R0-30YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 61 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN7R0-30YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 61 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN7R0-30YLC N-channel 30 V 7.1 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Rev. 2 -- 1 September 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 61 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.006 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ...
Цены на: PSMN2R6-30YLC
МОП-транзистор N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET |