|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN2R8-40BS
Искать " PSMN2R8-40BS" в других поисковых системах: GooglePSMN2R8-40BSИнформация по: PSMN2R8-40BS- NXP выпускает новые MOSFET транзисторы в компактном сверхпрочном корпусе
NXP Semiconductors представила семейство быстродействующих MOSFET транзисторов в новом сверхнадежном корпусе LFPAK33 с размерами 3.3 × 3.3 мм. В отличие от многих других корпусов для MOSFET подобного размера, конструкция корпуса LFPAK33 была разработана с нуля, чтобы стать надежным решением для силовой электроники. Благодаря специальным медным зажимам и особой технологии пайки кристаллов, новые MOSFET могут работать при температуре перехода 175 С, что является лучшим показателем в ... - Datasheet PSMN2R8-40PS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, TO-220
Наименование модели: PSMN2R8-40PS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NXP power switching MOSFETs in compact QFN3333 package Smaller. Faster. Cooler. 30 V Trench 6 MOSFETs in 3.3 x 3.3 mm QFN package A new range of 30 V Trench 6 MOSFETs in QFN3333 (SOT873) package NXP now offers a range of high-performance, 30 V, logic-level MOSFETs in QFN3333 package. Measuring only 3.3 mm x 3.3 mm x 1 mm, the devices share the ... - Datasheet PSMN1R1-40BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN1R1-40BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN1R1-40BS N-channel 40 V 1.3 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 2 -- 29 February 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 120 А Drain Source Voltage Vds: 40 В On Resistance Rds(on): 0.00116 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ...
|