|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN3R0-60BS
Искать " PSMN3R0-60BS" в других поисковых системах: GooglePSMN3R0-60BSИнформация по: PSMN3R0-60BS- NXP выпускает новые MOSFET транзисторы в компактном сверхпрочном корпусе
NXP Semiconductors представила семейство быстродействующих MOSFET транзисторов в новом сверхнадежном корпусе LFPAK33 с размерами 3.3 × 3.3 мм. В отличие от многих других корпусов для MOSFET подобного размера, конструкция корпуса LFPAK33 была разработана с нуля, чтобы стать надежным решением для силовой электроники. Благодаря специальным медным зажимам и особой технологии пайки кристаллов, новые MOSFET могут работать при температуре перехода 175 С, что является лучшим показателем в ... - Datasheet PSMN3R0-30YL,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 4-SOT-669
Наименование модели: PSMN3R0-30YL,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 4-SOT-669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN3R0-30YL N-channel 30 V 3 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 04 -- 10 March 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 2.19 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs ... - Datasheet PSMN3R0-60PS,127 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 100 А, 3-TO-220AB
Наименование модели: PSMN3R0-60PS,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 60 В Количество выводов: 3 Тип корпуса: 3-TO-220AB RoHS: есть
|