|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN3R5-80ES
Искать " PSMN3R5-80ES" в других поисковых системах: GooglePSMN3R5-80ESИнформация по: PSMN3R5-80ES- Datasheet PSMN3R5-30YL,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 4-SOT-669
Наименование модели: PSMN3R5-30YL,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 4-SOT-669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN3R5-30YL N-channel 30 V 3.5 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 4 -- 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 2.43 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs ... - Datasheet PSMN3R5-80ES - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 120 А, SOT226
Наименование модели: PSMN3R5-80ES Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 120 А, SOT226 RoHS: Y-Ex - Datasheet PSMN3R5-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669
Наименование модели: PSMN3R5-30YL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN3R5-30YL N-channel 30 V 3.5 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 4 -- 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On State Resistance: 2.43 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs ...
|