|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN4R5-40BS
Искать " PSMN4R5-40BS" в других поисковых системах: GooglePSMN4R5-40BSИнформация по: PSMN4R5-40BS- Datasheet PSMN4R5-30YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 84 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN4R5-30YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 84 А, LFPAK RoHS: Y-Ex - Datasheet PSMN1R1-40BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN1R1-40BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN1R1-40BS N-channel 40 V 1.3 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 2 -- 29 February 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 120 А Drain Source Voltage Vds: 40 В On Resistance Rds(on): 0.00116 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ... - Datasheet PSMN2R2-40BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN2R2-40BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN2R2-40BS N-channel 40 V 2.2 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 1 -- 20 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 40 В On Resistance Rds(on): 0.00188 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ...
|