|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN4R6-60BS
Искать " PSMN4R6-60BS" в других поисковых системах: GooglePSMN4R6-60BSИнформация по: PSMN4R6-60BS- Datasheet PSMN4R6-60PS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 100 А, TO-220AB
Наименование модели: PSMN4R6-60PS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 100 А, TO-220AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN4R6-60PS N-channel 60 V, 4.6 m standard level MOSFET in TO220 Rev. 02 -- 1 November 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60 В On State Resistance: 3.5 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон ... - Datasheet PSMN015-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN015-60BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN015-60BS N-channel 60 V 14.8 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 2 -- 1 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 50 А Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 0.0126 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ... - Datasheet PSMN1R7-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN1R7-60BS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN1R7-60BS N-channel 60 V 2 m standard level MOSFET in D2PAK Rev. 2 -- 29 February 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 120 А Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 0.00166 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ...
|