|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN5R0-100ES
Искать " PSMN5R0-100ES" в других поисковых системах: GooglePSMN5R0-100ESИнформация по: PSMN5R0-100ES- Datasheet PSMN5R0-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 84 А SOT669
Наименование модели: PSMN5R0-30YL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 84 А SOT669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN5R0-30YL N-channel 30 V 5 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 4 -- 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 84 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On State Resistance: 3.63 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: ... - Datasheet PSMN5R0-30YL,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 91 А, 4-SOT-669
Наименование модели: PSMN5R0-30YL,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 91 А, 4-SOT-669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN5R0-30YL N-channel 30 V 5 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 4 -- 9 March 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 91 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 3.63 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: ... - Datasheet PSMN5R0-80PS,127 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 100 А, 3-TO-220AB
Наименование модели: PSMN5R0-80PS,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 80 В Количество выводов: 3 Тип корпуса: 3-TO-220AB RoHS: есть
Цены на: PSMN5R0-100ES
МОП-транзистор Single NChannel 100V 475A 269W 12mOhms |