|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN8R0-40BS
Искать " PSMN8R0-40BS" в других поисковых системах: GooglePSMN8R0-40BSИнформация по: PSMN8R0-40BS- Datasheet PSMN8R0-30YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 54 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN8R0-30YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 54 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN8R0-30YLC N-channel 30 V 7.9 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Rev. 2 -- 1 September 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 54 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0067 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ... - MOSFET фирмы NXP преодолели порог 1 мОм
NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package). NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие ... - Datasheet PSMN8R0-40PS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 77 А, TO-220
Наименование модели: PSMN8R0-40PS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 77 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN8R0-40PS N-channel 40 V 7.6 m standard level MOSFET Rev. 02 -- 25 June 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 40 В On State Resistance: 6.2 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
|