|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN8R3-40YS
Искать " PSMN8R3-40YS" в других поисковых системах: GooglePSMN8R3-40YSИнформация по: PSMN8R3-40YS- Datasheet PSMN2R6-40YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669
Наименование модели: PSMN2R6-40YS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT669 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN2R6-40YS N-channel LFPAK 40 V 2.8 m standard level MOSFET Rev. 01 -- 23 June 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 40 В On State Resistance: 2 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон температрур: ... - Datasheet PSMN3R3-40YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, LFPAK
Наименование модели: PSMN3R3-40YS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN3R3-40YS N-channel LFPAK 40 V 3.3 m standard level MOSFET Rev. 04 -- 25 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 40 В On State Resistance: 2.6 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон температрур: ... - MOSFET фирмы NXP преодолели порог 1 мОм
NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package). NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие ...
|