|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMN9R8-30MLC
Искать " PSMN9R8-30MLC" в других поисковых системах: GooglePSMN9R8-30MLCИнформация по: PSMN9R8-30MLC- NXP выпускает новые MOSFET транзисторы в компактном сверхпрочном корпусе
NXP Semiconductors представила семейство быстродействующих MOSFET транзисторов в новом сверхнадежном корпусе LFPAK33 с размерами 3.3 × 3.3 мм. В отличие от многих других корпусов для MOSFET подобного размера, конструкция корпуса LFPAK33 была разработана с нуля, чтобы стать надежным решением для силовой электроники. Благодаря специальным медным зажимам и особой технологии пайки кристаллов, новые MOSFET могут работать при температуре перехода 175 С, что является лучшим показателем в ... - Datasheet PSMN020-30MLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 31.8 А, LFPAK33
Наименование модели: PSMN020-30MLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 31.8 А, LFPAK33 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN020-30MLC 4 September 2012 N-channel 30 V 18.1 m logic level MOSFET in LFPAK33 using TrenchMOS Technology Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 31.8 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0205 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.62 В ... - Datasheet PSMN013-30MLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 39 А, LFPAK33
Наименование модели: PSMN013-30MLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 39 А, LFPAK33 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PA K PSMN013-30MLC N-channel 30 V 13.6 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology Rev. 4 -- 15 June 2012 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 39 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0135 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.66 В ...
|