|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: PSMNR90-30BL
Искать " PSMNR90-30BL" в других поисковых системах: GooglePSMNR90-30BLИнформация по: PSMNR90-30BL- Datasheet PSMN017-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN017-30BL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN017-30BL N-channel 30 V 17 m logic level MOSFET in D2PAK Rev. 2 -- 3 April 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 32 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.017 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество выводов: 3 ... - Datasheet PSMN022-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 30 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN022-30BL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 30 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN022-30BL N-channel 30 V 22.6 m logic level MOSFET in D2PAK Rev. 1 -- 21 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 30 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.01917 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ... - Datasheet PSMN1R6-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK
Наименование модели: PSMN1R6-30BL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: D2 PA K PSMN1R6-30BL N-channel 30 V 1.9 m logic level MOSFET in D2PAK Rev. 1 -- 22 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.00158 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество ...
|