|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: SI4800
Искать " SI4800" в других поисковых системах: GoogleSI4800Информация по: SI4800- Datasheet SI4800BDY-T1-E3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC
Наименование модели: SI4800BDY-T1-E3 Производитель: Vishay Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Si4800BDY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0185 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 9 7 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current, Id: 9 А Drain Source Voltage, Vds: 30 В On Resistance, Rds(on): 0.0185 Ом ... - Datasheet SI4800BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC
Наименование модели: SI4800BDY-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Si4800BDY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0185 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 9 7 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 9 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 30 МОм ... - Datasheet SI4800BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8
Наименование модели: SI4800BDY Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Si4800BDY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 6.5 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 18.5 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус ...
|