|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: STGF14NC60KD
Искать " STGF14NC60KD" в других поисковых системах: GoogleSTGF14NC60KDИнформация по: STGF14NC60KD- Datasheet STGF14NC60KD - STMicroelectronics Даташит IGBT, TO-220FP
Наименование модели: STGF14NC60KD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, TO-220FP Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB14NC60KD STGF14NC60KD, STGP14NC60KD 14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT Features TAB 2 Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 11 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.5 В Power Dissipation Max: 28 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -55°C to +150°C Корпус транзистора: ... - Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ... - Datasheet STGB14NC60KDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, SMD, 600 В, 14 А, D2-PAK
Наименование модели: STGB14NC60KDT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, SMD, 600 В, 14 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB14NC60KD STGF14NC60KD, STGP14NC60KD 14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT Features TAB 2 Спецификации: Тип транзистора: Short Circuit Rated Max Voltage Vce Sat: 2.5 В Корпус транзистора: D2-PAK Количество выводов: 3 Корпус: D2-PAK Fall Time Tf: 75 нс Max Current Ic Continuous a: 25 А Power Dissipation: 80 Вт Pulsed Current Icm: 50 ...
|