|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: STGF7NC60HD
Искать " STGF7NC60HD" в других поисковых системах: GoogleSTGF7NC60HDИнформация по: STGF7NC60HD- Datasheet STGF7NC60HD - STMicroelectronics Даташит IGBT, 600V, 7A, TO-220FP
Наименование модели: STGF7NC60HD Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, 600V, 7A, TO-220FP Скачать Data Sheet Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2.5 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус транзистора: TO-220FP Количество выводов: 3 Av Current Ic: 60 А Корпус: TO-220FP Current Ic @ Vce Sat: 7 А Current Temperature: 25°C Fall Time Tf: 116 нс Full Power Rating Temperature: 25°C Max Current Ic Continuous a: 60 А Max Junction ... - Datasheet STGB7NC60HDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, SMD, 600 В, 14 А, D2-PAK
Наименование модели: STGB7NC60HDT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, SMD, 600 В, 14 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGP7NC60HD STGF7NC60HD - STGB7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DІPAK Very Fast PowerMESHTM IGBT Table 1: General Features TYPE STGP7NC60HD STGF7NC60HD STGB7NC60HD s s s Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: PowerMESH Max Voltage Vce Sat: 2.5 В Корпус транзистора: D2-PAK Количество выводов: 3 Корпус: D2-PAK ... - Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
|