|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: STS8C5H30L
Искать " STS8C5H30L" в других поисковых системах: GoogleSTS8C5H30LИнформация по: STS8C5H30L- Datasheet STS8C5H30L - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 8A/5.4A, 8SOIC
Наименование модели: STS8C5H30L Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 8A/5.4A, 8SOIC Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STS8C5H30L N-channel 30 V, 0.018 8 A, P-channel 30 V, 0.045 5 A SO-8 , , low gate charge STripFETTM III MOSFET Features Type STS8C5H30L(N-channel) STS8C5H30L(P-channel) VDSS 30 V 30 V Спецификации: Continuous Drain Current Id: 8 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.018 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ... - Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
|