|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: TK4A60DA
Искать " TK4A60DA" в других поисковых системах: GoogleTK4A60DAИнформация по: TK4A60DA- Datasheet TK4A60DA - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, TO220SIS
Наименование модели: TK4A60DA Производитель: Toshiba Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, TO220SIS Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TK4A60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4A60DA Switching Regulator Applications · · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 ... - Datasheet TK4A60DA(Q,M) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, SC-67
Наименование модели: TK4A60DA(Q,M) Производитель: Toshiba Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 3.5 А, SC-67 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TK4A60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4A60DA Switching Regulator Applications · · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 ...
|