|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: TO262-5
Искать " TO262-5" в других поисковых системах: GoogleTO262-5Информация по: TO262-5- Datasheet IRGSL10B60KDPBF - International Rectifier Даташит Транзистор, IGBT, N-CHAN, 600 В V(BR)CES, 22 А I(C), TO-262
Наименование модели: IRGSL10B60KDPBF Производитель: International Rectifier Описание: Транзистор, IGBT, N-CHAN, 600 В V(BR)CES, 22 А I(C), TO-262 - Datasheet AUIRGSL30B60K - International Rectifier Даташит IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт, TO262
Наименование модели: AUIRGSL30B60K Производитель: International Rectifier Описание: IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт, TO262 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 96334 AUTOMOTIVE GRADE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features · · · · · · · Low V CE(on) Non Punch Through IGBT Technology 10µs Short Circuit Capability Square RBSOA Positive V CE(on) Temperature Coefficient Maximum Junction Temperature rated at 175°C Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * AUIRGS30B60K ... - Datasheet IRF5210LPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, 100 В, 40 А TO262
Наименование модели: IRF5210LPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, P, 100 В, 40 А TO262 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 91405C IRF5210S/L HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology Surface Mount (IRF5210S) l Low-profile through-hole (IRF5210L) l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel l Fully Avalanche Rated Description l l Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: 40 А Drain ...
|