|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: WG12864A-TTL-NN
Искать " WG12864A-TTL-NN" в других поисковых системах: GoogleWG12864A-TTL-NNИнформация по: WG12864A-TTL-NN- Datasheet AUIRF7341Q - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8
Наименование модели: AUIRF7341Q Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: AUTOMOTIVE MOSFET PD - 96362A AUIRF7341Q HEXFET® Power MOSFET 8 7 Спецификации: Полярность транзистора: Dual N Channel Continuous Drain Current Id: 5.1 А Drain Source Voltage Vds: 55 В On Resistance Rds(on): 0.043 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Рассеиваемая мощность: 2.4 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +175°C ... - Преобразование сигнала к уровням TTL
Нужна помощь. Нужно преобразовать сигнал на Рис 1 к уровням TTL (Рис 2). Надумал с помощью компаратора, но нужен источник отрицательного напряжения. 1. Как предельно просто получить отрицательное напряжение без стабилизации порядка 0,1..0,5В ? 2. Может есть способ попроще преобразовать? TLK , на рисунках не указана частота сигнала и выходное сопротивление источника, которые желательно знать, чтобы дать более точный совет, но в общем случае можно применить компараторы, способные работать с ... - Datasheet IRF7501 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный NN MICRO-8
Наименование модели: IRF7501 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, сдвоенный NN MICRO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 91265H PRELIMINARY l l l l l l l IRF7501 HEXFET® Power MOSFET 8 7 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 2.4 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 135 МОм Power Dissipation Pd: 1.25 Вт Корпус транзистора: MicroSOIC Количество выводов: 8 SVHC: ...
|