Поиск по: WG19264C-TMI-NN

WG19264C-TMI-NN

Информация по: WG19264C-TMI-NN

• Datasheet AUIRF7341Q - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8
  Наименование модели: AUIRF7341Q Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: AUTOMOTIVE MOSFET PD - 96362A AUIRF7341Q HEXFET® Power MOSFET 8 7 Спецификации: Полярность транзистора: Dual N Channel Continuous Drain Current Id: 5.1 А Drain Source Voltage Vds: 55 В On Resistance Rds(on): 0.043 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Рассеиваемая мощность: 2.4 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +175°C ...
• Datasheet IRF7501 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный NN MICRO-8
  Наименование модели: IRF7501 Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, сдвоенный NN MICRO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 91265H PRELIMINARY l l l l l l l IRF7501 HEXFET® Power MOSFET 8 7 Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 2.4 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 135 МОм Power Dissipation Pd: 1.25 Вт Корпус транзистора: MicroSOIC Количество выводов: 8 SVHC: ...
• Datasheet IRF7313PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8
  Наименование модели: IRF7313PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95039 IRF7313PbF l l l l l l Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free HEXFET® Power MOSFET Данные для моделирования Спецификации: Module Configuration: Dual Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 6.5 А Drain Source Voltage ...

Цены на: WG19264C-TMI-NN